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現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志

現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志統(tǒng)計(jì)源期刊

Modern Applied Physics

主管單位:西北核技術(shù)研究所 主辦單位:西北核技術(shù)研究所;國(guó)防工業(yè)出版社

  • 審稿周期

    1個(gè)月內(nèi)

  • 影響因子

    0.31

  • 發(fā)文量

    545

  • 總被引次數(shù)

    542

  • 全年訂價(jià)

    ¥ 200.00

  • H指數(shù)

    9

  • 引用半衰期

    6.7333

  • 期刊他引率

    0.8125

  • 平均引文率

    15.6909

基本信息:
ISSN:2095-6223
CN:61-1491/O4
主編:邱愛(ài)慈
郵編:710024
出版信息:
出版地區(qū):陜西
出版周期:季刊
出版語(yǔ)言:中文
創(chuàng)刊時(shí)間:2010
類(lèi)別:教育
收錄信息:
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榮譽(yù)信息:
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期刊介紹 歷史收錄 投稿須知 評(píng)價(jià)報(bào)告 文獻(xiàn)分析 發(fā)文分析 期刊文獻(xiàn) 常見(jiàn)問(wèn)題

現(xiàn)代應(yīng)用物理期刊介紹

《現(xiàn)代應(yīng)用物理》是由西北核技術(shù)研究所;國(guó)防工業(yè)出版社主辦,西北核技術(shù)研究所主管的全國(guó)性教育類(lèi)期刊,創(chuàng)刊于2010年,刊號(hào)(CN 61-1491/O4,ISSN 2095-6223),全年定價(jià):200.00元/期,季刊。該雜志以刊登教育科學(xué)論文、評(píng)價(jià)教育科研成果、探討教育教學(xué)規(guī)律、傳播教育教學(xué)經(jīng)驗(yàn)、開(kāi)展教育學(xué)術(shù)討論、報(bào)道教育研究動(dòng)態(tài)、提供國(guó)內(nèi)外教育信息為主旨,引領(lǐng)教育前沿和熱難點(diǎn)問(wèn)題研究,助教育經(jīng)學(xué)者成長(zhǎng)。該刊級(jí)別為統(tǒng)計(jì)源期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

《現(xiàn)代應(yīng)用物理》期刊欄目主要有:物理量的定義和測(cè)量的假設(shè)選擇 理論數(shù)學(xué) 理論與實(shí)驗(yàn)

現(xiàn)代應(yīng)用物理歷史收錄情況

  • 中國(guó)科技核心期刊
  • 烏利希期刊指南

現(xiàn)代應(yīng)用物理投稿須知

(1)作者姓名、工作單位、職稱(chēng)、學(xué)位、研究方向。

(2)題名:要求準(zhǔn)確,精練,易讀,用詞規(guī)范,一般不超過(guò)20個(gè)字。盡量不用副題名,不宜用阿拉伯?dāng)?shù)字開(kāi)頭,不用代號(hào)和商品名。

(3)編輯部有權(quán)對(duì)文稿進(jìn)行規(guī)范性修改,作者如果不同意修改,請(qǐng)?jiān)谖哪?biāo)注。

(4)文稿中摘引他人成果,請(qǐng)按《著作權(quán)法》有關(guān)規(guī)定指明原作者姓名、作品名稱(chēng)及其來(lái)源,并以注釋的形式在文后列出。

(5)正文段落層次號(hào)一律使用阿拉伯?dāng)?shù)字(不出現(xiàn)前言、引言等之內(nèi)的層次),頂行書(shū)寫(xiě),層次號(hào)后空一格,一級(jí)標(biāo)題前空一行。

現(xiàn)代應(yīng)用物理期刊評(píng)價(jià)報(bào)告

年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
影響因子 0.22 0.35 0.29 0.34 0.3 0.29 0.31 0.47
立即指數(shù) 0.02 0.03 0.07 0.06 0.03 0.07 0.11 0.05
發(fā)文量 56 60 57 52 64 60 73 105
引用半衰期 6.79 6.5 5.08 7.29 8 6.8 6.44 7.02
被引半衰期 1.93 2.62 2.79 2.74 3.6 3.5 3.59 3.95
被引次數(shù) 28 60 68 75 95 88 113 189
期刊他引率 0.82 0.82 0.68 0.8 0.86 0.77 0.86 0.71
平均引文率 15.4 16.2 17.5 17.3 15 18.9 19.5 20.4

現(xiàn)代應(yīng)用物理文獻(xiàn)分析

1、主要引證文獻(xiàn)期刊分析

序號(hào) 期刊 涉及文獻(xiàn)量
1 《電子設(shè)計(jì)工程》 79
2 《強(qiáng)激光與粒子束》 45
3 《原子能科學(xué)技術(shù)》 31
4 《核技術(shù)》 14
5 《物理學(xué)報(bào)》 13
6 《核動(dòng)力工程》 11
7 《太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào)》 10
8 《中國(guó)科學(xué):物理學(xué)、力學(xué)、天文學(xué)》 9
9 《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》 8
10 《爆炸與沖擊》 8

2、主要參考文獻(xiàn)期刊分析

序號(hào) 期刊 涉及文獻(xiàn)量
1 《強(qiáng)激光與粒子束》 237
2 《原子能科學(xué)技術(shù)》 117
3 《物理學(xué)報(bào)》 113
4 《核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)》 67
5 《核技術(shù)》 50
6 《高電壓技術(shù)》 47
7 《紅外與激光工程》 34
8 《爆炸與沖擊》 33
9 《Chinese Physics B》 31
10 《核動(dòng)力工程》 31

現(xiàn)代應(yīng)用物理主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

序號(hào) 機(jī)構(gòu)名稱(chēng) 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文主題
1 西北核技術(shù)研究所 372 激光;脈沖;中子;質(zhì)子;高功率微波
2 西安交通大學(xué) 68 脈沖;開(kāi)關(guān);電磁;氣體開(kāi)關(guān);天線
3 清華大學(xué) 34 質(zhì)子;加速器;同步加速器;質(zhì)子加速器;束流
4 湘潭大學(xué) 29 鐵電;鐵電薄膜;質(zhì)子;第一性原理;圖像
5 中國(guó)科學(xué)院 28 質(zhì)子;圖像;圖像傳感器;感器;傳感
6 西北核技術(shù)研究院 27 激光;電磁;脈沖;射線;網(wǎng)絡(luò)
7 教育部 16 質(zhì)子;電磁;加速器;束流;電磁脈沖
8 中國(guó)工程物理研究院 16 中子;晶體管;雙極晶體管;探測(cè)器;中子輻照
9 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 15 質(zhì)子;圖像;圖像傳感器;感器;傳感
10 西安電子科技大學(xué) 15 電磁;電磁脈沖;晶體管;高功率微波;低噪

現(xiàn)代應(yīng)用物理期刊文獻(xiàn)

  • 光子晶體閃爍體研究進(jìn)展 作者:歐陽(yáng)曉平; 劉波;西北核技術(shù)研究所; 西安710024; 同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院上海市特殊人工微結(jié)構(gòu)材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海200092
  • 用于Z箍縮功率密度測(cè)量的針孔陣列設(shè)計(jì) 作者:王亮平; 張金海; 李沫; 郭寧;西北核技術(shù)研究所; 西安710024; 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 西安710024
  • Monte Carlo模擬方法在^133Xe活度絕對(duì)測(cè)量中的應(yīng)用 作者:解峰; 李雪松; 師全林; 代義華; 何小兵; 余功碩; 姜文剛;西北核技術(shù)研究所; 西安710024
  • CMOS圖像傳感器飽和輸出電壓的輻照效應(yīng)及損傷機(jī)理研究 作者:李豫東; 文林; 郭旗; 何承發(fā); 周東; 馮婕; 張興堯; 于新;中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所; 烏魯木齊830011
  • 基于高能粒子入射產(chǎn)生亮線的CCD電荷轉(zhuǎn)移效率計(jì)算方法 作者:文林; 李豫東; 馮婕; 郭旗; 何承發(fā); 周東; 張興堯; 于新; 瑪麗婭·黑尼;中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所; 烏魯木齊830011
  • 1MeV電子輻照對(duì)InGaAsP/InGaAs雙結(jié)電池電學(xué)參數(shù)的影響 作者:瑪麗婭·黑尼; 趙曉凡; 李豫東; 莫敏·賽來(lái); 周東; 艾爾肯·阿不都瓦衣提; 郭旗;中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué); 北京100049
  • 3MeV質(zhì)子輻照條件下DC/DC位移損傷機(jī)理研究 作者:于新; 郭旗; 李豫東; 何承發(fā); 文林; 張興堯; 周東;中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所; 烏魯木齊830011
  • 輻射陷阱電荷對(duì)0.18μm N-MOSFET轉(zhuǎn)移特性影響的TCAD仿真 作者:魏瑩; 崔江維; 鄭齊文; 馬騰; 孫靜; 文林; 余學(xué)峰; 郭旗;中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué); 北京100049
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