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Advanced Electronic Materials

Advanced Electronic MaterialsSCIE

國際簡稱:ADV ELECTRON MATER  參考譯名:先進電子材料

  • 中科院分區

    2區

  • CiteScore分區

    Q1

  • JCR分區

    Q1

基本信息:
ISSN:2199-160X
E-ISSN:2199-160X
是否OA:未開放
是否預警:否
TOP期刊:是
出版信息:
出版地區:GERMANY
出版商:Wiley-VCH Verlag
出版語言:English
出版周期:12 issues/year
出版年份:2015
研究方向:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
評價信息:
影響因子:5.3
H-index:33
CiteScore指數:11
SJR指數:1.689
SNIP指數:1.154
發文數據:
Gold OA文章占比:47.14%
研究類文章占比:94.34%
年發文量:389
自引率:0.0322...
開源占比:0.2053
出版撤稿占比:0
出版國人文章占比:0.32
OA被引用占比:0.0666...
英文簡介 期刊介紹 CiteScore數據 中科院SCI分區 JCR分區 發文數據 常見問題

英文簡介Advanced Electronic Materials期刊介紹

Advanced Electronic Materials is an interdisciplinary forum for peer-reviewed, high-quality, high-impact research in the fields of materials science, physics, and engineering of electronic and magnetic materials. It includes research on physics and physical properties of electronic and magnetic materials, spintronics, electronics, device physics and engineering, micro- and nano-electromechanical systems, and organic electronics, in addition to fundamental research.

期刊簡介Advanced Electronic Materials期刊介紹

《Advanced Electronic Materials》自2015出版以來,是一本材料科學優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果,并為材料科學各個領域的原創研究提供一個展示平臺,以促進材料科學領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解,或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道材料科學領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單,目前已被權威數據庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點:

Cite Score數據(2024年最新版)Advanced Electronic Materials Cite Score數據

  • CiteScore:11
  • SJR:1.689
  • SNIP:1.154
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 36 / 284

87%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎,針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Advanced Electronic Materials 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
大類學科 分區 小類學科 分區
材料科學 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 2區 3區 3區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎,運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據,得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次,類似于“優、良、及格”等。最開始,這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Advanced Electronic Materials JCR分區

2023-2024 年最新版
按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 122 / 438

72.3%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

67.5%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q1 42 / 179

76.8%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 126 / 438

71.35%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

67.5%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 48 / 179

73.46%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區,這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發文數據

2023-2024 年國家/地區發文量統計
  • 國家/地區數量
  • CHINA MAINLAND498
  • USA215
  • South Korea156
  • GERMANY (FED REP GER)116
  • Japan62
  • England57
  • Italy43
  • Singapore38
  • Australia35
  • France33

本刊中國學者近年發表論文

  • 1、High-kappa and High-Temperature Dipolar Glass Polymers Based on Sulfonylated and Cyanolated Poly(Arylene Ether)s for Capacitive Energy Storage

    Author: Huang, Wen; Ju, Tianxiong; Li, Ruipeng; Duan, Yajun; Duan, Yanan; Wei, Junji; Zhu, Lei

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200414

  • 2、Design Strategies for Strain-Insensitive Wearable Healthcare Sensors and Perspective Based on the Seebeck Coefficient

    Author: Xin, Yangyang; Zhou, Jian; Nesser, Hussein; Lubineau, Gilles

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200534

  • 3、Novel Dielectric Nanogranular Materials with an Electrically Tunable Frequency Response

    Author: Cao, Yang; Kobayashi, Nobukiyo; Wang, Cheng; Takahashi, Saburo; Maekawa, Sadamichi; Masumoto, Hiroshi

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202201218

  • 4、Electrical Detection of Magnetic Skyrmions in a Magnetic Tunnel Junction

    Author: Guang, Yao; Zhang, Like; Zhang, Junwei; Wang, Yadong; Zhao, Yuelei; Tomasello, Riccardo; Zhang, Senfu; He, Bin; Li, Jiahui; Liu, Yizhou; Feng, Jiafeng; Wei, Hongxiang; Carpentieri, Mario; Hou, Zhipeng; Liu, Junming; Peng, Yong; Zeng, Zhongming; Finocchio, Giovanni; Zhang, Xixiang; Coey, John Michael David; Han, Xiufeng; Yu, Guoqiang

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200570

  • 5、Electrically Tuning Interfacial Ion Redistribution for mica/WSe2 Memory Transistor

    Author: Yang, Zhihao; Wang, Dong; Wang, Shaoyuan; Tan, Chao; Yang, Lei; Wang, Zegao

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200679

  • 6、Spatiotemporal Modulation of Plasticity in Multi-Terminal Tactile Synaptic Transistor

    Author: Mo, Wen-Ai; Ding, Guanglong; Nie, Zihao; Feng, Zihao; Zhou, Kui; Chen, Ruo-Si; Xie, Peng; Shang, Gang; Han, Su-Ting; Zhou, Ye

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200733

  • 7、Large and Tunable Magnetoresistance in Cr1-xTe/Al2O3/Cr1-xTe Vertical Spin Valve Device

    Author: Gao, Zhansheng; Chen, Jiabiao; Zhang, Zheshan; Liu, Zhaochao; Zhang, Yu; Xu, Lingyun; Wu, Jinxiong; Luo, Feng

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200823

  • 8、Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal-Oxide Heterojunction Transistor

    Author: Wang, Pengfei; Yang, Huan; Li, Jiye; Zhang, Xiaohui; Wang, Lei; Xiao, Juncheng; Zhao, Bin; Zhang, Shengdong; Lu, Lei

    Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200807

投稿常見問題

通訊方式:111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。

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