當(dāng)前位置：首頁 SCI期刊 SCIE期刊物理與天體物理中科院4區(qū) JCRQ3 期刊介紹(非官網(wǎng))

Solid-state ElectronicsSCIE

國際簡稱：SOLID STATE ELECTRON 參考譯名：固態(tài)電子

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q3
JCR分區(qū)
Q3

基本信息：: ISSN：0038-1101; E-ISSN：1879-2405; 是否OA：未開放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：UNITED STATES; 出版商：Elsevier Ltd; 出版語言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1960; 研究方向：物理-工程：電子與電氣

評價信息：: 影響因子：1.4; H-index：87; CiteScore指數(shù)：3; SJR指數(shù)：0.348; SNIP指數(shù)：0.655

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：18.40%; 研究類文章占比：99.43%; 年發(fā)文量：175; 自引率：0.0588...; 開源占比：0.0803; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.16; OA被引用占比：0.0126...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Solid-state Electronics期刊介紹

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

期刊簡介Solid-state Electronics期刊介紹

《Solid-state Electronics》自1960出版以來，是一本物理與天體物理優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為物理與天體物理各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進(jìn)物理與天體物理領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵先進(jìn)的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解，或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道物理與天體物理領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認(rèn)可。

該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn)：

預(yù)計審稿時間：一般,3-6周約9.2周
物理與天體物理
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Solid-state Electronics Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：3
SJR：0.348
SNIP：0.655

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q3	419 / 797	47%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q3	245 / 434	43%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry	Q3	182 / 317	42%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	169 / 284	40%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻(xiàn)計量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ)，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Solid-state Electronics 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)
物理與天體物理	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運(yùn)用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級劃分的期刊評價標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Solid-state Electronics JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	259 / 352	26.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	138 / 179	23.2%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	61 / 79	23.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	261 / 354	26.41%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	133 / 179	25.98%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	54 / 79	32.28%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨(dú)依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū)數(shù)量
South Korea131
CHINA MAINLAND104
France76
USA53
GERMANY (FED REP GER)36
India24
Spain21
England17
Belgium16
Japan16

本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device
Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504
2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications
Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495
3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation
Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503
4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process
Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486
5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs
Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494
6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics
Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029
7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment
Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067
8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance
Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024