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Ieee Transactions On Nanotechnology

Ieee Transactions On NanotechnologySCIE

國際簡稱:IEEE T NANOTECHNOL  參考譯名:IEEE納米技術(shù)匯刊

  • 中科院分區(qū)

    4區(qū)

  • CiteScore分區(qū)

    Q2

  • JCR分區(qū)

    Q3

基本信息:
ISSN:1536-125X
E-ISSN:1941-0085
是否OA:未開放
是否預(yù)警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地區(qū):UNITED STATES
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
出版周期:Quarterly
出版年份:2002
研究方向:工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合
評價信息:
影響因子:2.1
H-index:73
CiteScore指數(shù):4.8
SJR指數(shù):0.435
SNIP指數(shù):0.783
發(fā)文數(shù)據(jù):
Gold OA文章占比:8.41%
研究類文章占比:100.00%
年發(fā)文量:109
自引率:0.0833...
開源占比:0.1101
出版撤稿占比:0
出版國人文章占比:0.2
OA被引用占比:0
英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Ieee Transactions On Nanotechnology期刊介紹

The IEEE Transactions on Nanotechnology is devoted to the publication of manuscripts of archival value in the general area of nanotechnology, which is rapidly emerging as one of the fastest growing and most promising new technological developments for the next generation and beyond.

期刊簡介Ieee Transactions On Nanotechnology期刊介紹

《Ieee Transactions On Nanotechnology》自2002出版以來,是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為工程技術(shù)各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺,以促進工程技術(shù)領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關(guān)注點:

Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Ieee Transactions On Nanotechnology Cite Score數(shù)據(jù)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.435
  • SNIP:0.783
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ),針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Ieee Transactions On Nanotechnology 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Ieee Transactions On Nanotechnology JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版
按JIF指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
  • 國家/地區(qū)數(shù)量
  • CHINA MAINLAND119
  • USA104
  • India91
  • Taiwan39
  • South Korea28
  • Iran27
  • GERMANY (FED REP GER)18
  • Italy17
  • France14
  • Spain14

本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

  • 1、BIST-Supported Cryogenic Write Trimming With In-MRAM Computing Case Study

    Author: Hou, Yaoru; Liu-Sun, Chenxing; Liu, Bo; Zhang, Hao; Cai, Hao

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2023; Vol. 22, Issue , pp. 126-135. DOI: 10.1109/TNANO.2023.3248662

  • 2、Nanoscale surface roughness effects on THz vacuum electron device performance

    Author: fengjinjun

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2016.

  • 3、Nanoscale surface roughness effects on THz vacuum electron device performance

    Author: liyany_2005

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2016.

  • 4、A Novel Laser Ultrasound Transducer Using Candle Soot Carbon Nanoparticles

    Author: whuang

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2016.

  • 5、Optimal Anti-Noise Ability and High Sensitivity in Magnetic Nanothermometry

    Author: lwz7410

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2016.

投稿常見問題

通訊方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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